SJT 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
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ID： |
7B3A449515E140569770F5F51F98F8F8 |
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文件大小(MB)： |
3.58 |
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页数： |
14 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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购买： |
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ICS 31, 260,L45,备案号: BJ,中华人民共和国电子行业标准,SJ/T 11398—2009,功率半导体发光二极管芯片技术规范,Techn i caI spec i f i cat i on for,power I i ght-emi tt i ng d i ode ch i ps,2009T 1Tフ发布2010-01-01 实施,中华人民共和国工业和信息化部发布,SJ/T 11398—2009,本规范的附录A和附录B是规范性附录”附录C是资料性附录,本规范由工业和信息化部电子工业标潅化研究所归口。」,本规范由半导体照明技术标准工作组组织起草丒:.,本规范起草单位:中国电子科技集团公エ翼门三安电子有限公司、厦门华联电子有,即 !NFq 限公司。 /X**,本规范参加单位;见戸ユ,本规范主要起草人ズ网逝,I,SJ/T 11398—2009,功率半导体发光二极管芯片技术规范,1 范圉 < . "丒一一；" " ' ,一丒，' , - > " ■,本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片》的技术要求、检验规则和槪验あ法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定?',2规范性引用文件,下列文件中的条款通过う,修改单（不包括勘误的内タ《,是否可使用这些文件写府辭,GB/T 4937. 1—2Q^4J?,GB/T,SJ/T,SJ/T,4937—1,1139 幻,11399,用!不注日期的引用文件r,其翻4,件机械和气候试验办法多1部分,轟懸嬲靈飜方法（idt ［環霸,方法,的引用文件,其随后所有的,飕范达成协议的各方研究,规范;,QAc749-［「2002”如T）,优先加,芯片应符相关,详细规范为准。:,3.1.2对详细为,本规范中使.,占::ザ"::;::必,关详细,即指引用相关,时,应以相关,3.2材料、结构和,3.2.I 材料 X,应采用能使芯片符2阎,不开裂、不软化、不流动战,3.2.2 外形尺寸,.半导体材料位验条件下,应不起泡,芯片的外形尺寸应符合相关详细毓',3.2.3 键合区,键合区的大小、位置、顺序和电气功能应符合相关详细规お的规定,3.2.4 芯片的背衬材料:（背镀层）,芯片的背魁材料和推荐的芯片附:着方法应在相关详细规范中加以说明,3.2.5 倒装芯片的攀体材料,倒装芯片的载体材料和推荐的附着方法应在相关详细规范中加以说明,3.3标志,芯片上的标志应符合相关详细规范的规定,3. 41外观质..,［芯片的处观质量应符合附录A的要求尸二.一,3. 51绝对最大额定值和特性,SJ/T 11398—2009,3. 5.1绝对最大额定值,章条号参数..篠号,数值ー,「单位,谭ス： 最大.,.,3.5. 1. 1 贮存温度畫;1 ■ ..X .
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